氮化物半導體襯底材料的發展趨勢
來源:LED導航網      作者:Admin      發表時間:2013-04-01 11:41:55      瀏覽:4513

2013411-12日,2013中國LED產業健康發展高峰論壇將在深圳會展中心隆重舉辦。中國LED產業健康發展高峰論壇是由中國半導體照明/LED產業與應用聯盟主辦,是繼2012年兩次半導體照明/LED標準宣貫會的高規格與高水準活動之后,又一次LED產業范圍內的行業盛會。

此次論壇,許多資深的LED行業專家將做出精彩紛呈的專家報告。2013411日上午,中鎵半導體科技有限公司總經理張國義先生,將在論壇上作《氮化物半導體襯底材料的發展趨勢》的報告。

張國義,理學博士,現任北京大學物理學院教授,半導體光電子學專業博士生導師,北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任,北京大學東莞光電研究院常務副院長。兼任中國物理學會發光分科學會理事;中國電子學會信息光電子分會理事,中國物理學會半導體專業委員會委員,中國光學協會LED行業協會咨詢委員會委員;是國家半導體照明研發與產業聯盟的專家組成員;是《半導體學報》,《發光學報》,《液晶和顯示》的編委。

襯底材料決定著外延、芯片、封裝應用的技術發展方向,不同的襯底要求不同的工藝,并得到不同的結果,因此,襯底技術的發展不僅影響著整個行業技術的發展,還是第三代半導體的核心技術,更是國際競爭的焦點。此次報告主要介紹了氮化物半導體襯底技術的發展趨勢,其中重點的介紹了GaN單晶襯底,圖形襯底和Si襯底的發展趨勢。

GaN是直接帶隙的材料,其光躍遷幾率比間接帶隙的高一個數量級。因此,寬帶隙的GaN在半導體在短波長發光二極管、激光器和紫外探測器,以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景,是很適合于環保的材料體系。

圖形化襯底技術(Pattemed Sapphire Substrate),簡稱“PSS”。通過在藍寶石LED襯底表面制作具有細微結構的圖形,然后再在圖形化襯底表面進行LED材料外延。藍寶石LED襯底經過PPS加工后,會改善藍寶石LED襯底的缺陷,由外延芯片封裝出來的LED最終能有效提高光提取效率。

硅具有Fd3m空間群的金剛石結構,屬立方體系。由沿體對角線方向位移1/4體對角線距離的兩套面心立方子晶格嵌套而成。硅襯底是目前市場價格最便宜,可獲得尺寸最大,器件工藝較成熟的半導體材料。

究竟氮化物半導體襯底技術的發展趨勢如何,市場對于襯底技術又有著怎樣的時代要求,在此次的報告中,都將有著更為詳細的闡述。此次論壇涵蓋了LED全產業鏈的技術熱點、創新應用、相關標準與政策,包括:封裝、材料、OLED發展、LED照明、大型國產設備、半導體照明標準培訓、節能惠民工程招標介紹等。同時還增添了新品發布環節,在頭腦風暴的同時能夠及時了解行業動態。同期舉辦的中國LED,是中國電子信息博覽會旗下的專業展覽,由中國半導體照明/LED產業與應用聯盟、中國電子器材總公司聯合主辦。以健康發展,協同共贏為主題,10萬平方米超大平臺,預計2000家參展企業、90000成熟業內買家!該展會將集中展示全國LED產業優秀企業的陣容、實力和水平,充分利用國(境)內外多種資源,努力打造LED和半導體照明產業的領航展會。

2013中國LED產業健康發展高峰論壇嘉賓陣容龐大,正蓄勢待發。

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